文献类型：期刊文章

作　　者：史自鸿[1] 孙献文[1] 丁玲红[1] 张伟风[1]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室,河南开封475004

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60976016)

年　　份：2012

卷　　号：31

期　　号：8

起止页码：25-28

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt衬底(Pt/TiO2/SiO2/Si)上制备了SrTiO3(STO)薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示:空间电荷限制电流(SCLC)机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。

关 键 词：SrTiO3(STO)薄膜  双极性电阻开关  氧空位

分 类 号：O472.4]