文献类型：期刊文章

作　　者：白建民[1] 刘小晰[1] 徐海[1] 魏福林[1] 杨正[1]

机构地区：[1]兰州大学磁性材料研究所,兰州730000

出　　处：《物理学报》

年　　份：2000

卷　　号：49

期　　号：8

起止页码：1595-1599

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2000115398111)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000088685000035)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用射频溅射装置制备了La Zn替代磁铅石型锶铁氧体 (SrM)薄膜 (LaxSr1 xZnxFe12 xO19,0≤x≤ 0 4) ,通过对样品微结构及磁性的研究 ,发现替代可以有效控制薄膜中晶粒的生长 ,合适的替代量 (x =0 4)可得到平均尺寸大约为 12nm的六角片状晶粒 .饱和磁化强度Ms 随替代量x的增加出现极大值 ,而矫顽力Hc 则呈上升趋势 .同时替代使薄膜室温下的矫顽力温度系数 dHcdT rt得到显著改善 ,从正份样品的 430Am 1K 1降到了大约 - 40Am 1K 1(x =0 4) .

关 键 词：铁氧体薄膜 磁记录 镧一锌  磁盘

分 类 号：TP333]