期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]长沙铁道学院信息学院材料研究所,长沙410075 [2]华中理工大学物理系,武汉430074
基 金:国家自然科学基金!(批准号 :69890227;69771011;6971007);霍英东教育基金资助的课题
年 份:2000
卷 号:49
期 号:8
起止页码:1453-1456
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte Carlo方法模拟二维量子点阵列的程序 .数值计算结果表明 ,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 。
关 键 词:MONTE-CARLO模拟 单电子 金属 二维纳米点阵列
分 类 号:O47]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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