文献类型：期刊文章

作　　者：郭康贤[1] 陈传誉[1]

机构地区：[1]广州师范学院物理系,广州510400

出　　处：《光子学报》

基　　金：Supported by Natural Science Foundation of Guangdong Province;Guangzhou Committe of Science and Technology

年　　份：2000

卷　　号：29

期　　号：6

起止页码：501-505

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文研究了双曲型量子线的三阶非线性光学吸收率，着重研究了激子对其影响，并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式．最后，以Ａ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ双曲型量子线为例作了数值计算．数值结果表明，当线宽增加时，激子效应对三阶非线性光学吸收率的影响越来越弱，特别是，当线宽接近于扩散长度时，激子效应将显著减弱．

关 键 词：非线性光学吸收率  双曲型量子线  激子效应  

分 类 号：O437]