期刊文章详细信息
化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究
Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华北光电技术研究所 [2]73061部队
年 份：2012
卷 号：42
期 号：7
起止页码：778-780
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。
关 键 词：碲镉汞 表面平坦化 红外焦平面
分 类 号：TN214]
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