文献类型：期刊文章

作　　者：葛水兵[1] 程珊华[1] 宁兆元[1] 沈明荣[1] 甘肇强[1] 周咏东[1] 褚君浩[2]

机构地区：[1]苏州大学薄膜材料实验室,苏州215006 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《功能材料》

年　　份：2000

卷　　号：31

期　　号：B05

起止页码：82-83

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。

关 键 词：脉冲激光沉积 ZnO膜  基片温度 氧分压强  

分 类 号：TN304.21]