文献类型：期刊文章

作　　者：余明斌[1] 马剑平[2] 罗家骏[2] 陈治明[2]

机构地区：[1]西安理工大学应用物理系,西安710048 [2]西安理工大学电子工程系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目! (编号 :698760 3 0 )

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：7

起止页码：673-676

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001185572294)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析 ,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射 .

关 键 词：纳米材料 碳化硅 薄膜  光致发光 HFCVD

分 类 号：TN304.055]