期刊文章详细信息
砷注入碲镉汞的激光退火
The Study of Arsenic Implanted HgCdTe for Laser Annealing
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]山东大学红外遥感研究室,山东济南250100 [2]传感器国家重点实验室
年 份：2000
卷 号：22
期 号：4
起止页码：26-29
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：利用脉冲YAG激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验 ,分析注入退火引起的样品电学性质的变化 ,认为激光退火能够消除辐射损伤 ,并激活注入杂质。同时对电导率 迁移率谱这一实验方法也做了较详细的说明。
关 键 词：激光退火 砷注入 碲镉汞
分 类 号：TN304.26] TN213
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