文献类型：期刊文章

作　　者：王玮[1,2,3] 蔡勇[1] 张宝顺[1] 黄伟[4] 李海鸥[4]

机构地区：[1]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]中国科学院研究生院,北京100049 [4]无锡晶凯科技有限公司,江苏无锡214061

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10990102);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：3

起止页码：219-224

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。

关 键 词：电感耦合等离子体 刻蚀 氮化镓 侧壁倾角  射频功率

分 类 号：O47] TL814[物理学类]