文献类型：期刊文章

作　　者：杨洁[1] 陈东生[1,2] 郑玲玲[1] 杜汇伟[1] 周平华[1] 石建伟[1] 徐飞[1] 马忠权[1]

机构地区：[1]上海大学索朗光伏材料与器件研发联合实验室,上海200444 [2]上海电力学院数理学院物理实验中心,上海200090

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：国家自然科学基金项目(60876045);上海市基础研究重点项目(09JC1405900);上海市重点学科建设项目(S30105);SHU-SOEN’s PV联合实验室基金项目(SS-E0700601)

年　　份：2012

卷　　号：24

期　　号：7

起止页码：1629-1632

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20123415365503)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流子浓度,改善薄膜质量;退火温度过高,则会引起正常格点处元素扩散,元素化学计量比改变,体内缺陷增加,吸收层带隙降低,反而会对CIGS薄膜造成破坏。

关 键 词：太阳能电池 快速热退火 光致发光 薄膜缺陷  

分 类 号：O474]