登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

半导体器件中载流子迁移率的研究    

半导体器件中载流子迁移率的研究

  

文献类型:期刊文章

作  者:张子砚[1]

机构地区:[1]贵阳学院物理与电子信息科学系

出  处:《电子世界》

年  份:2012

期  号:13

起止页码:5-6

语  种:中文

收录情况:INSPEC、普通刊

摘  要:分析了器件中载流子迁移率的基本理论及其受温度、掺杂浓度、栅极电压以及漏极电压的影响,并总结了测量器件中载流子迁移率的几种常用的方法。

关 键 词:载流子 迁移率 栅极电压 漏极电压  

分 类 号:TN386]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心