文献类型：期刊文章

作　　者：张金林[1,2] 贺春林[1,2] 王建明[1,2] 杜兆富[3] 赵栋梁[3] 才庆魁[1,2]

机构地区：[1]沈阳大学表面工程研究所,辽宁沈阳110044 [2]沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室,辽宁沈阳110044 [3]北京钢铁研究总院功能材料研究所,北京100081

出　　处：《金属功能材料》

基　　金：国家自然科学基金(51171118)资助;沈阳市科技基金(F10-205-1-60)资助

年　　份：2012

卷　　号：19

期　　号：3

起止页码：15-20

语　　种：中文

收录情况：ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用直流反应磁控溅射方法在AISI 304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响。结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹。薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显。薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性。

关 键 词：反应磁控溅射 TIN 基体温度  微结构 电化学性能

分 类 号：TB383.2[材料类]