文献类型：期刊文章

作　　者：丁飞[1] 李华[1] 傅正文[1] 周鸣飞[1] 秦启宗[1]

机构地区：[1]复旦大学激光化学研究所,上海200433

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》

基　　金：国家自然科学基金!(No 29783001)

年　　份：2000

卷　　号：13

期　　号：2

起止页码：207-211

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、RSC、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：从充放电性能、晶体结构等方面考察了包括粉末状的ＺｎＯ、脉冲激光沉积方法制备的ＺｎＯ 薄膜和含锌混合氧化物薄膜的电化学性质．结果表明，ＺｎＯ粉末制备的电极的嵌入容量随退火温度 的升高而增大，掺入其他氧化物可以明显改善ＺｎＯ 薄膜的电化学性能，在Ａｒ气氛中，基片温度为 ４００℃时，沉积的靶子成分为Ｚｎ：Ｂ：Ｐ：Ａｌ＝１：１：０５：０５（摩尔比）的含锌混合氧化物薄膜具有较 高的可逆容量，且循环性能良好．

关 键 词：脉冲激光沉积 电化学性能  氧化锌薄膜 半导体  

分 类 号：O646.5]