文献类型：期刊文章

作　　者：袁海滨[1] 李秋霞[2] 朱富龙[1] 杨斌[1] 徐宝强[1] 戴永年[1]

机构地区：[1]昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南省有色金属真空冶金重点实验室,云南昆明650093 [2]云南师范大学化学化工学院,云南昆明650092

出　　处：《中南大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金-云南联合基金重点资助项目(u0837604);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20095314110003)

年　　份：2012

卷　　号：43

期　　号：3

起止页码：803-808

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20122615165363)、INSPEC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用XRD,EDS及热力学分析等方法,对二氧化硅在真空碳热氯化法炼铝过程中的行为进行研究。研究结果表明:碳热还原过程SiO2在较低温度下发生碳热还原反应生成SiC,在更高的温度条件下碳热还原生成低价氧化硅SiO气体;另外还有一定量的SiC与Al4C3结合生成Al4SiC4。碳热还原过程生成的低价氧化硅SiO气体进入低温区歧解得到单质硅与二氧化硅;同时还有氧化铝碳热还原生成的低价氧化铝Al2O气体进入低温区与CO发生二次氧化反应生成氧化铝与碳,低价氧化铝Al2O与低价氧化硅SiO气体在低温区发生反应的可能性较小。碳热氯化过程冷凝产物金属铝的EDS检测分析显示,SiO2碳热还原生成的低价氧化硅SiO歧解产物没有混入最终产物中,从而不会影响金属铝的纯度,该金属铝平均纯度达97.03%。

关 键 词：真空冶金 氯化铝 二氧化硅 铝  

分 类 号：TF131] TF821