文献类型：期刊文章

作　　者：巫建华[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第43研究所,合肥230088

出　　处：《电子与封装》

年　　份：2012

卷　　号：12

期　　号：6

起止页码：4-8

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺，在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文章简要介绍了共晶焊接的原理，分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素，并且选用Ti／Ni／Au膜系和AuSn焊料，利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。试验证明：焊接基板金属化Au层厚度1．5μm，焊接压力为2kPa，焊接温度330℃，时间30s可有效地使空洞面积控制在10％以下。并在150℃高温贮存以及-65℃～150℃温度循环后对共晶焊接样品的剪切强度和接触电阻进行了试验。在可靠性试验后，样品的剪切强度满足GJB548B-2005的要求，接触电阻变化率小于5％。

关 键 词：共晶焊 空洞  剪切强度 接触电阻

分 类 号：TN305.94]