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期刊文章详细信息

SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用    

TiO_2 Doping Behavior in SrTiO_3 Capactor-varistor Ceramics

  

文献类型:期刊文章

作  者:李建英[1] 李盛涛[1] 庄严[2] 屠德民[1]

机构地区:[1]西安交通大学电气绝缘研究中心电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049 [2]广州通信研究所,广州510310

出  处:《压电与声光》

年  份:2000

卷  号:22

期  号:1

起止页码:46-48

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了TiO2掺杂对SrTiO3电容-压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律。研究结果表明TiO2添加量较小时瓷体不能实现半导化。随着TiO2添加量的增大,烧结后的表观电阻率减小,压敏电压和非线性指数减小,表观介电常数增大。SEM观察发现TiO2添加量较小时晶粒内部出现裂痕,较多的TiO2添加量利于晶粒的长大。

关 键 词:掺杂 功能陶瓷 氧化钛 钛酸锶

分 类 号:TM283[材料类]

参考文献:

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同被引文献:

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