文献类型：期刊文章

作　　者：朱顺明[1] 黄时敏[1] 顾书林[1] 朱振邦[1] 顾然[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室,江苏南京210093

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(61025020,60990312);国家“973”计划(2011CB302003);江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目

年　　份：2012

卷　　号：33

期　　号：6

起止页码：665-668

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20122915260225)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。

关 键 词：ZnO  MOCVD  氧源  t-BuOH  

分 类 号：TN304]