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期刊文章详细信息

退火温度对制备ZnO薄膜光电学性质的影响    

  

文献类型:期刊文章

作  者:吕灵燕[1]

机构地区:[1]福建大学物理与信息工程学院,福州350002

出  处:《科技资讯》

年  份:2012

卷  号:10

期  号:10

起止页码:86-87

语  种:中文

收录情况:JST、NSSD、普通刊

摘  要:采用溶胶—凝胶法在ITO玻璃衬底上制备氧化锌(ZnO)薄膜,利用AFM和UV对不同退火温度的ZnO薄膜样品进行分析。经实验的表征结果分析,退火温度为500℃~700℃区间,透射率呈现先上升后下降的趋势,而禁带宽度基本保持不变。通过实验结果对比得出,当退火温度为550℃时,制备出的ZnO薄膜的结晶质量较好,表面较光滑,透射率约为90%,禁带宽度为3.25eV,

关 键 词:ZNO薄膜 溶胶—凝胶法  退火温度

分 类 号:O484]

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