文献类型：期刊文章

作　　者：曾叶娟[1] 代月花[1] 陈军宁[1]

机构地区：[1]安徽大学电子信息工程学院安徽微纳电子器件与集成电路设计省级实验室,合肥230601

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学青年基金资助项目(61006064)

年　　份：2012

卷　　号：49

期　　号：6

起止页码：382-387

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电荷陷阱存储器(CTM)由于其分离式电荷存储原理,可以使存储器件尺寸持续小尺寸化,理论上解决了传统浮栅存储器小尺寸化瓶颈的限制。基于第一性原理,从理论上对CTM材料及相关结构进行了模拟计算,采用Material Studio软件包,对多种电荷俘获材料进行改性,引入陷阱,并对其能带、状态密度、缺陷态密度等方面展开模拟研究。为CTM实验提供了非常有效的理论依据与方法,从该角度出发研究存储器是一个全新的视角,提出可以通过陷阱态密度曲线的部分积分来确定CTM的存储窗口等衡量指标。

关 键 词：电荷陷阱存储器(CTM)  态密度 数据保持性  数据耐久性  存储窗口  

分 类 号：TP333.5]