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期刊文章详细信息

低压限流断路器背后击穿现象的数值模拟研究  ( EI收录)  

RESEARCH ON SIMULATION OF THE BACK COMMUTATION IN LOW VOLTAGE CURRENT-LIMITING CIRCUIT BREAKER

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈旭[1] 陈德桂[1]

机构地区:[1]西安交通大学电器教研室,陕西省西安市710049

出  处:《中国电机工程学报》

基  金:国家自然科学基金!5 97770 0 9;西安交通大学博士学位论文基金

年  份:2000

卷  号:20

期  号:3

起止页码:16-19

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:低压限流断路器是广泛应用于工业与民用的低压电器。它采用多个栅片的灭弧室 ,利用近极压降将进入到灭弧室中的电弧电压提升到一个较高的值 ,从而在开断电路的同时还起到对短路电流的限制。但目前发现在开断过程中电弧反复进出灭弧栅片的背后击穿现象引起电弧电压的突降 ,降低了开断性能。根据实际开断物理过程 ,建立了以热击穿为主的背后击穿物理模型 ,运用气流场 ,结合热场、磁场与电流分布 ,计算模拟了低压限流断路器在开断过程中电弧运动状况与背后击穿现象。

关 键 词:低压限流断路器 背后击穿 数值模拟 断路器

分 类 号:TM561]

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同被引文献:

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