文献类型：期刊文章

作　　者：林金阳[1,2] 王灵婕[1] 张永爱[1] 郭太良[1]

机构地区：[1]福州大学光电显示技术研究所,福州350002 [2]福建工程学院电子电气系,福州350108

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(61106053);教育部博导基金(2010351410007);福建省教育厅科技项目(JA11187;JA11014)

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：5

起止页码：368-371

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20122715200269)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。

关 键 词：氧化锡薄膜场致发射磁控反应溅射  

分 类 号：TB332[材料类]