文献类型：期刊文章

作　　者：陈弘达[1] 曾庆明[2] 李献杰[2] 陈志标[1] 杜云[1] 周革[3] 华锋[3] 黄永箴[1] 吴荣汉[1]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]河北半导体研究所,石家庄050051 [3]天津大学现代光学仪器研究所,天津300072

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金资助项目 !( 698962 60 ;6978980 2 )

年　　份：2000

卷　　号：11

期　　号：2

起止页码：111-113

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、普通刊

摘　　要：我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。

关 键 词：光电子器件 微光电子集成  灵巧象素器件  多量子  

分 类 号：TN256] TN223