文献类型：期刊文章

作　　者：李文胜[1] 罗时军[1] 黄海铭[1] 张琴[1] 是度芳[1]

机构地区：[1]湖北汽车工业学院理学系,十堰442002

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10974048)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：10

起止页码：150-155

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：构造了由普通材料A（Si02）和电单负材料B组成的（AB）^N（BA）^N型一维光子晶体．数值计算表明原禁带的1907．3nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模．入射角增加，该隧穿模的透射率和半峰全宽度均保持不变，但位置发生蓝移，入射角在15°-65°的区间内，移动率的绝对值｜dλ/dθ｜较大．当B介质的磁导率肛B从5增加到10时，只是隧穿模的位置发生了红移．介质的几何厚度增加时，隧穿模的透射率不变，但其位置红移明显，半峰全宽略有增加．

关 键 词：光子晶体 电单负材料  隧穿模  透射率

分 类 号：O734]