文献类型：期刊文章

作　　者：马紫微[1,2] 苏玉荣[1] 谢毅柱[1] 赵海廷[1] 刘利新[1] 李健[1] 谢二庆[1]

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所,兰州730000 [2]运城学院物理与电子工程系,运城044000

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(10776010);表面工程技术国家级重点实验室基金(9140C5401010801)

年　　份：2012

卷　　号：26

期　　号：10

起止页码：16-18

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：HfO2薄膜的结构和光学性能与反应溅射时使用的气压有很强的依赖关系。薄膜的晶粒生长取向、生长速率和折射率明显受溅射气压的影响。所有的薄膜均为单斜相,晶粒尺寸在纳米量级。薄膜的折射率在1.92～2.08范围内变化,透过率大于85%。结果表明,这些HfO2薄膜很适宜用作增透膜或者高反膜。此外,通过Tauc公式推出光学带隙在5.150～5.433eV范围内变化,表明样品是良好的绝缘体。

关 键 词：HfO2薄膜溅射法光学性能光学带隙  

分 类 号：O484.4]