文献类型：期刊文章

作　　者：王召斌[1,2] 翟国富[1] 黄晓毅[1]

机构地区：[1]哈尔滨工业大学军用电器研究所,哈尔滨150001 [2]江苏科技大学电子信息学院,镇江212003

出　　处：《电工技术学报》

年　　份：2012

卷　　号：27

期　　号：5

起止页码：205-211

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20123015280569)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电磁继电器贮存过程中,触点间的接触电阻超标是主要的失效模式,而触点间的阴离子扩散是导致触点表面绝缘膜增长、接触电阻增加的主要原因。本文分析了纯金属触点表面腐蚀膜的成膜机理,并根据扩散理论给出了接触电阻增长与触点间压力、接触压降以及环境温度的函数关系,建立了常闭触点间单个导电斑点的接触电阻增长动力学模型。该模型与其他学者的实测数据趋势一致,最后通过该模型的计算值与试验结果进行对比,进一步验证了提出的动力学模型的正确性,为进行触点贮存寿命的预测提供了新的思路和参考。

关 键 词：接触电阻 电磁继电器 表面绝缘膜  扩散 动力学模型

分 类 号：TM581.3]