文献类型：期刊文章

作　　者：李国强[1] 杨慧[1]

机构地区：[1]华南理工大学材料科学与工程学院。发光材料与器件国家重点实验室,广州510640

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);华南理工大学中央高校基本科研业务费项目(2009ZZ0017)

年　　份：2012

卷　　号：33

期　　号：2

起止页码：153-160

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。

关 键 词：LED SI衬底 缓冲层 图案掩模技术  量子阱  

分 类 号：O472]