文献类型：期刊文章

作　　者：周飞[1] 李志章[2]

机构地区：[1]江苏理工大学材料系,镇江212013 [2]浙江大学材料系,杭州310027

出　　处：《金属学报》

年　　份：2000

卷　　号：36

期　　号：2

起止页码：171-176

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057951887)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ多层中间层在１２７３Ｋ温度下进行氨化硅陶瓷部分瞬间液相连接，考察了保温时间对连接强度的影响，并对连接界面进行了ＳＥＭ，ＥＰＭＡ和ＸＲＤ分析．结果表明，通过Ｃｕ－Ｔｉ二元扩散促使液相与氨化硅发生界面反应，形成Ｓｉ_３Ｎ_４／ＴｉＮ／Ｔｉ_５Ｓｉ_３＋Ｔｉ_５Ｓｉ_４＋ＴｉＳｉ_２／ＴｉＳｉ_２＋Ｃｕ_３Ｔｉ_２（Ｓｉ）／Ｃｕ的梯度层．保温时间影响接头反应层厚度，从而影响接头的连接强度根据活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的界面行为，建立了活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的理论模型．该模型较好地解释了Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ和Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ连接氮化硅陶瓷的异同点和连接工艺参数的选择。

关 键 词：活性金属  氮化硅 连接强度  界面反应  陶瓷 连接  

分 类 号：TQ174.62] TG454]