文献类型：期刊文章

作　　者：赵晓云[1] 刘金远[2] 段萍[3] 李世刚[1]

机构地区：[1]阜阳师范学院物理与电子科学学院,阜阳236041 [2]大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024 [3]大连海事大学物理系,大连116026

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(10875024;10975026和11005025)资助项目;辽宁省教育厅高校科研基金资助项目(2009A047);国家重点基础发展研究计划(2009GB105004和2009GB106002)资助项目;安徽省高等学校优秀青年人才基金资助项目(2012SQRL116)

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：279-284

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20122515138307)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体鞘层,鞘层中离子密度分布主要由磁场来决定。磁场的存在可以促进器壁电子的发射,磁场的增加或二次电子发射系数的增加都将使得鞘层厚度的减小,同时将导致沉积到器壁的离子动能流发生变化,从而直接影响器壁材料的性能。

关 键 词：等离子体 鞘层 二次电子发射 磁场  

分 类 号：O462.2]