期刊文章详细信息
高功率无铝半导体激光器 ( EI收录)
Al-free High Power Semiconductor Lasers
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022
年 份：2000
卷 号：21
期 号：2
起止页码：80-84
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2000095315865)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成 ,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明 ,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点 ,介绍了波长为 80 8nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。
关 键 词：半导体激光器 量子阱 砷化镓 铝
分 类 号：TN248.4]
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