文献类型：期刊文章

作　　者：徐继生[1] 马淑英[1] 吴雄斌[1] 林根煌[2] 叶公节[3]

机构地区：[1]武汉大学电子信息学院,武汉430072 [2]台湾中山大学电子工程系 [3]Dept of ECE,University of IIIinois at Urbana-Champaign

出　　处：《地球物理学报》

基　　金：国家自然科学基金!49984001;49674241;教育部博士学科点专项基金

年　　份：2000

卷　　号：43

期　　号：2

起止页码：145-151

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、GEOBASE、GEOREFPREVIEWDATABASE、IC、INSPEC、JST、PA、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为考察赤道异常区电离层对中等强度磁暴的响应特性，用电离层ＣＴ成像方法重建电离层电子密度二维剖面．重建结果表明，暴时低纬电离层电子密度以降低为主，但暴相随纬度和高度而异；磁暴期间，赤道异常峰结构仍然存在，但恢复相期间峰的位置向赤道移动；磁暴急始之后约２０ｍｉｎ，在赤道异常峰区出现电子密度深度耗空，这种耗空遍及从底到顶的整个Ｆ区，朝赤道一侧显现水平梯度非常大的陡壁．这种与磁暴急始相联系的电子密度深度耗空现象很有意义，值得进一步研究．

关 键 词：低纬电离层 CT成像 磁暴 电离层暴

分 类 号：P318.22] P352[地球物理学类]