文献类型：期刊文章

作　　者：王蓉[1] 史占花[1] 蔡芳共[1] 杨峰[1] 贾永芳[1] 黎颖[1] 程翠华[1,2] 赵勇[1,2]

机构地区：[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031 [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,悉尼2052

出　　处：《高等学校化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50872116);教育部超导磁悬浮列车创新团队项目(批准号:IRT0751)、教育部博士点基金(批准号:SRDP200806130023);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2009QK46,SWJTU09ZT24)资助

年　　份：2012

卷　　号：33

期　　号：4

起止页码：768-771

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600～800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输.

关 键 词：ZnO/Cu2O异质结  表面光电压谱 场诱导表面光电压谱  界面电场  

分 类 号：O649]