文献类型：期刊文章

作　　者：尚林涛[1,2] 罗子江[1,2] 周勋[1,2] 郭祥[1,2] 张毕禅[1,2] 何浩[1,2] 贺业全[1,2] 丁召[1,2]

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵阳550025 [2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省委组织部高层人才科研特助项目(TZJF-2006年10号);贵州省科技厅基金资助项目(黔科合J字[2007]2176号);贵州省留学人员科技项目(黔人项目资助合同(2007)03号)

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：3

起止页码：256-262

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证。

关 键 词：反射式高能电子衍射分子束外延扫描隧道显微镜InGaAs表面重构模拟  

分 类 号：N34]