文献类型：期刊文章

作　　者：王丽[1] 陈阿青[1] 王晓忠[1] 乐栋贤[1] 梅建滨[1]

机构地区：[1]乐山职业技术学院新能源工程系,四川乐山614000

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：四川省科技厅院级合作资助项目(No.10ZC1914);四川省科技厅重大技术支撑资助项目(No.10ZC1893)

年　　份：2012

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：62-65

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64 V,5.58 A,0.755和17.3%。

关 键 词：扩散温度  扩散时间  薄层方块电阻  单晶硅太阳电池 转换效率  

分 类 号：TN366]