文献类型：期刊文章

作　　者：张兵坡[1] 蔡春锋[1] 才玺坤[1] 吴惠桢[1] 王淼[1]

机构地区：[1]浙江大学物理学系硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10974174和91021020);浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117;Z111057)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：4

起止页码：356-360

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000301563800056)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF_2衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面,衍射图样揭示了CdTe(111)在BaF_2表面由二维生长向三维生长的变化过程.XRD表征验证了外延生长的CdTe薄膜的单晶性质.由红外透射光谱测量和理论拟合相结合,得到了CdTe外延薄膜室温带隙宽度E_g=1.511 eV.

关 键 词：CDTE 分子束外延(MBE)  RHEED XRD  

分 类 号：TN304.054]