文献类型：期刊文章

作　　者：黄涛[1] 闫勇[1] 黄稳[1] 张艳霞[1] 晏传鹏[1] 刘连[1] 张勇[1] 赵勇[1,2] 余洲[1]

机构地区：[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031 [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

出　　处：《功能材料》

基　　金：国际自然科学基金资助项目(50588201,50872116);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007-AA03Z203);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB616906);长江学者与创新团队计划资助项目(IRT0751);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU09BR155,SWJTU09ZT24)

年　　份：2012

卷　　号：43

期　　号：4

起止页码：499-503

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20121314899660)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。

关 键 词：MO薄膜 直流磁控溅射 电阻率

分 类 号：O184[数学类]