文献类型：期刊文章

作　　者：安其[1]

机构地区：[1]北京北仪创新真空技术有限责任公司,北京102600

出　　处：《真空》

年　　份：2012

卷　　号：49

期　　号：1

起止页码：52-56

语　　种：中文

收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文介绍非晶硅薄膜太阳能电池生产线的核心设备———等离子体增强化学气相沉积(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)系统,并阐述了其重要地位。非晶硅太阳能电池制造的关键技术是非晶硅薄膜的制备,目前最常见的制备方法是PECVD技术。PECVD技术凭借其低温沉积、可大面积成膜、成膜均匀等特点,在非晶硅薄膜制备方面迅速发展。PECVD系统用于制备非晶硅太阳能电池的关键结构P、I、N硅薄膜层。本文阐述了该设备的结构特点、技术指标、工作原理及工艺过程,对沉积室的结构和配置进行了详细设计计算,非晶硅太阳能电池稳定后的转化效率可达6%。

关 键 词：非晶硅 太阳能电池 PECVD

分 类 号：TN304] TB43]