文献类型：期刊文章

作　　者：刘小兵[1] 熊祖洪[2] 史向华[1] 袁帅[2] 廖良生[2]

机构地区：[1]长沙电力学院物理系,长沙410077 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金!(19525410)

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：1

起止页码：38-43

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋ Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋ Ｈ２Ｏ 混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３ 与ＳｉＯｘ 结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因．

关 键 词：多孔硅 光致发光 钝化 氧化铝  氧化硅

分 类 号：TN383.2]