文献类型：期刊文章

作　　者：林金阳[1,2] 王灵婕[1] 张永爱[1] 郭太良[1]

机构地区：[1]福州大学光电显示技术研究所,福建福州350002 [2]福建工程学院电子电气系,福建福州350108

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家高新技术研究发展计划"863"计划重大专项(2008AA03A313);福建省自然科学基金(2010J01332)资助项目

年　　份：2012

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：244-247

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20121114852798)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。

关 键 词：喷涂法 印刷法  场发射 碳纳米管(CNT)  

分 类 号：O484]