文献类型：期刊文章

作　　者：李明[1] 张荣[1] 刘斌[1] 傅德颐[1] 赵传阵[1] 谢自力[1] 修向前[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学电子科学与工程学院,南京微结构国家实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60990311,60721063,60906025,60936004);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03A198);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：2

起止页码：393-399

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000302129500057)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献.结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数,子带间自旋轨道耦合系数η_(12)比Rashba自旋劈裂系数α_1,α_2小,但基本在同一数量级.

关 键 词：Rashba自旋劈裂  子带间自旋轨道耦合  自恰计算  二维电子气

分 类 号：O471.1]