文献类型：期刊文章

作　　者：潘磊[1] 卢铁城[1,2] 苏锐[1] 王跃忠[1] 齐建起[1] 付佳[1] 张燚[1] 贺端威[3]

机构地区：[1]四川大物理科学与技术学院,成都610064 [2]四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064 [3]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50872083);航空科学基金(批准号:20100119003);四川大学中央高校基本科研专项基金(批准号:2009SCU11126)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：2

起止页码：377-382

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本研究在基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)框架下,采用局域密度近似(LDA)和赝势平面波方法,计算了平衡结构尖晶石型γ-AlON的态密度和光学性质参数.结合表征电子结构的态密度,分析了γ-AlON在0-30 eV范围内的复介电函数以及由其导出的折射率、反射谱、吸收谱等.理论计算得出:γ-A1ON零频介电常数ε_1(0)=2.60,折射率n_0=1.61,在红外到近紫外以及20.23 eV以上的紫外波段,其光吸收趋近于零,表现为光学透明.理论计算结果与相关实验数据相一致,为γ-AlON在光学窗口及头罩材料等方面的应用提供了理论依据和参考.

关 键 词：τ-AlON  第一性原理 电子结构 光学性质

分 类 号：O74] O734