文献类型：期刊文章

作　　者：尤虎[1] 郭方敏[1] 朱晟伟[1] 越方禹[1] 范梁[1] 茅惠兵[1]

机构地区：[1]华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241

出　　处：《激光与红外》

基　　金：国家科技部重大科研项目(No.2006CB932802;No.2011CB932903);上海市配套项目(No.078014194)资助

年　　份：2012

卷　　号：42

期　　号：1

起止页码：59-62

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。

关 键 词：量子点 量子效率 响应率  微光探测  CTIA读出  

分 类 号：TN215]