文献类型：期刊文章

作　　者：江锡顺[1] 万东升[1] 宋学萍[2] 孙兆奇[2]

机构地区：[1]滁州学院电子信息工程系,滁州239000 [2]安徽大学物理与材料科学学院,合肥230039

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(50872001);教育部博士点专项基金(20060357003);安徽省自然科学研究项目(KJ2010B148)

年　　份：2011

卷　　号：40

期　　号：6

起止页码：1536-1540

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20120514727572)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。

关 键 词：ITO薄膜 磁控溅射  光电特性

分 类 号：O484]