期刊文章详细信息
基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响
Influences of Substrate Temperature and Argon Pressure on Properties of GZO Thin Films Prepared by Radio Frequency Magnetron Sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中南民族大学等离子体研究所,武汉430074
基 金：武汉市重点科技攻关计划资助项目(200721023420)
年 份：2011
卷 号：30
期 号：4
起止页码：70-73
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA-PROQEUST、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜.结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响.当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω.cm,可见光的平均透过率为89.1%.
关 键 词：基体温度 氩气压强 GZO薄膜 透过率 电阻率
分 类 号：TM914]
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