文献类型：期刊文章

作　　者：李昕[1] 杨涛[1] 陈良月[1] 俞汉扬[2] 高怀[3]

机构地区：[1]东南大学集成电路学院,南京210096 [2]苏州英诺迅科技有限公司&苏州市射频功率器件及电路工程技术研究中心,江苏苏州215123 [3]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096

出　　处：《电子器件》

基　　金：2010年江苏省科技型企业技术创新资金项目(SBC201010291)

年　　份：2011

卷　　号：34

期　　号：6

起止页码：677-680

语　　种：中文

收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：提出了一种拓展带宽的新型电路拓扑结构,该结构由四级射极跟随器级联而成,通过自适应有源偏置电路调节各级晶体管跨导,以及改变级间电感与后一级射极跟随器的结电容Cbe谐振峰的频率位置来拓展带宽。对其工作原理和稳定性进行了分析,并基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了应用此结构的宽带放大器。仿真结果表明:新型电路拓扑结构能有效地扩展带宽,提高增益。在2 GHz～8.5 GHz的频率范围内,增益达到20 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,P1 dB点输出功率大于17 dBm。

关 键 词：放大器 宽带 射极跟随器 稳定性

分 类 号：TN722.1]