文献类型：期刊文章

作　　者：石刚[1] 李亚军[2] 左少华[3] 江锦春[3] 胡古今[1,3] 褚君浩[1,3]

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215125 [3]上海太阳能电池研究与发展中心,上海201201

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(60821092);中国科学院知识创新重要方向性项目(07JC14058);上海市科委基础研究重点项目(08JC1420900)

年　　份：2011

卷　　号：30

期　　号：6

起止页码：507-510

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20120114659115)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000298550700007)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000298550700007)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致.

关 键 词：ZNS薄膜 原位退火  光致发光 磁控溅射

分 类 号：O484.4]