文献类型：期刊文章

作　　者：俞汉扬[1] 陈良月[1] 李昕[1] 杨涛[1] 高怀[2,3]

机构地区：[1]东南大学集成电路学院,江苏南京210096 [2]苏州英诺迅科技有限公司 [3]苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心,江苏苏州215123

出　　处：《电子科技》

年　　份：2011

卷　　号：24

期　　号：12

起止页码：38-41

语　　种：中文

收录情况：CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、RCCSE、普通刊

摘　　要：基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端增益,提高了高频端增益,从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化,结果显示,在4～8 GHz频带内,噪声系数<1.4 dB,增益达23±0.5 dB,输入输出驻波比<2.0∶1。

关 键 词：自偏置 低噪声放大器 PHEMT 单片微波集成电路 C波段

分 类 号：TN722.3]