文献类型：期刊文章

作　　者：丁澜[1,2] 马锡英[1]

机构地区：[1]苏州科技学院数理学院,江苏苏州215011 [2]浙江师范大学数理信息学院,浙江金华310002

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(60976071);绍兴市科技技术资助项目(2009A21054)

年　　份：2011

卷　　号：48

期　　号：12

起止页码：761-766

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：石墨烯具有很多优异的力学、电学和结构特性,可用于制备高速、低功耗的半导体电子器件和集成电路芯片。简要介绍了三种石墨烯/Si的制备方法,即剥离法、外延法、剪切和选择转移印刷法,其中外延生长的石墨烯被认为是最终实现碳集成电路的唯一途径。并给出了采用上述方法制备的石墨烯/Si晶体管的电阻、磁阻、载流子迁移和输运特性以及量子霍尔效应(QHE)等电学特性。发现石墨烯/Si晶体管最高频率达155GHz,在室温下具有异常的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应。其电荷载流子浓度在电子和空穴之间连续变化,可高达1013 cm-2,迁移率可达2×105 cm2/(V.s)。

关 键 词：石墨烯 石墨烯/Si晶体管  制备方法  电学特性 磁学特性

分 类 号：TB383[材料类] TN304.18]