文献类型：期刊文章

作　　者：周志文[1] 贺敬凯[1] 王瑞春[1]

机构地区：[1]深圳信息职业技术学院电子通信技术系,深圳518029

出　　处：《物理》

年　　份：2011

卷　　号：40

期　　号：12

起止页码：799-806

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：准直接带隙的锗,其禁带宽度小,吸收系数大,迁移率高,更重要的是,它能与硅微电子工艺兼容,在硅基光电集成中得到了广泛的研究和应用.文章综述了硅基锗薄膜的异质外延生长及其在光电子器件(特别是长波长光电探测器和激光器)应用上的进展;介绍了在硅衬底上异质外延生长锗薄膜的缓冲层技术,如组分变化的SiGe缓冲层技术、选区外延技术和低温技术;讨论了硅基锗薄膜光电探测器的性能与结构的关系以及发展趋势;分析了张应变和n型掺杂对锗光电性质的影响;展望了硅基锗薄膜单片集成和电抽运激光器的前景.

关 键 词：光电子学 异质外延  光电探测器 激光器  硅  锗

分 类 号：TN304.054] TN36