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期刊文章详细信息

闪蒸法制备N型Bi_2(Te_(0.95)Se_(0.05))_3薄膜的微结构及热电性能研究  ( EI收录)  

Microstructure and Thermoelectric Properties of N-Type Bi_2(Te_(0.95)Se_(0.05))_3 Thin Films Prepared by Flash Evaporation

  

文献类型:期刊文章

作  者:段兴凯[1] 江跃珍[2] 胡孔刚[1] 丁时锋[1] 满达虎[1]

机构地区:[1]九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心,江西九江332005 [2]九江学院电子工程学院,江西九江332005

出  处:《稀有金属》

基  金:国家自然科学基金项目(51161009)资助;江西省教育厅科技资助项目(GJJ11625)

年  份:2011

卷  号:35

期  号:6

起止页码:887-891

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用闪蒸法在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜,并在373~573 K进行1 h的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)分别对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法进行测量,采用温差电动势法在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。沉积态薄膜表明了(015)衍射峰为最强峰,退火处理后最强衍射峰为(006);沉积态薄膜由许多纳米晶粒组成,晶粒大小分布较均匀,平均晶粒尺寸大约45 nm,退火处理后出现了斜方六面体的片状晶体结构。退火温度从373 K增加到473 K,薄膜的电阻率和Seebeck系数增加,激活能也随退火温度的增加而增大,退火温度从523 K增加到573 K,薄膜的电阻率和Seebeck系数都缓慢下降。从373~473 K,热电功率因子随退火温度的升高而单调增加,退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别是2.7 mΩ.cm和-180μV.K-1,热电功率因子最大值为12μW.cmK-2。退火温度从523 K增加到573 K,热电功率因子的值逐渐下降。

关 键 词:Bi2Te3基热电薄膜  热电功率因子  闪蒸法

分 类 号:TB34[材料类] TB43

参考文献:

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同被引文献:

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