文献类型：期刊文章

作　　者：袁晨[1,2] 严伟[1,2]

机构地区：[1]上海北京大学微电子研究院(SHRIME),上海201203 [2]北京大学软件与微电子学院,北京100871

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》

基　　金：上海市科学技术委员会(09DZ1141504);国家自然科学基金(61072038)资助

年　　份：2011

卷　　号：47

期　　号：6

起止页码：1151-1154

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管（RTD）模型有相似表现的现象，提出一种LED失效分析方法。经过500～3000V的HBM模型损伤，一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管（RTD），正向电流呈现隧道电流的特征，证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱，改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比，并推广至其他失效曲线的分析，建立了一套通过伏安特性曲线对比方法，分析LED受损位置。这种失效模型分析方式可以不借助微观实验，直接进行判断，并可通过经验不断丰富。

关 键 词：LED 静电 失效分析  

分 类 号：TN312.8]